跟着算力规模延迟对功耗与散热压力握续普及，以碳化硅、氮化镓为代表的三代半体功率器件凭借频、压、低损耗特，正在成为适配新代AI算力基础法度的选案。日前芯联集成（688469.SH）文牍考究出3300V SiC MOSFET器件，该产物面向固态变压器（SST）等压、功率密度、可靠利用场景度定制红河塑料挤出设备，当今已向中枢客户送样考证。

芯联集成暗示，这次3300V SiC器件的发布标识着公司在压宽禁带半体域收场又枢纽遏止，填补了国内压SiC器件在固态变压器中枢功率利用中的枢纽空缺。

辛苦裸露红河塑料挤出设备，该产物基于公司8英寸产线自研压平面栅SiC MOSFET期间，以小的单位面积和的通电阻-栅电荷值，收场了败落的通与开关能。以10kV中压固态变压器前端为例，比拟1200V案，3300V器件势权臣，母线电压升至1800至2200V，联数减60；功率单位及MOSFET总量减60，外围器件减70，PCB大幅简化；另外，抑止与安装老本镌汰。综BOM老本降20至35，撑握SST频、袖珍化、演进。

综来看，3300V案可收场系统BOM老本镌汰20至35，为固态变压器向开关频率、小体积和出动率演进提供中枢器件撑握。为跨越补强固态变压器供应链，公司也将出适配3300V SiC MOSFET的频耐压功率密度磁器件。

芯联集成在碳化硅器件域出货量先。凭证Yole 3月份发布的2025年碳化硅业务排行，芯联集成是SiC器件厂商中位居的企业红河塑料挤出设备，并踏进各人前五。公司已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产物布局，新代SiC G2.0工艺平台在能与可靠上收场跨越遏止，8英寸SiC产线已收场大规模化量产。

现时，生成式AI算力需求呈指数增长，塑料挤出机设备单AI机柜功率密度正向兆瓦别迈进。英伟达岁首文牍动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心域的枢纽时局；在智能电网与新动力域，固态变压器相同推崇着中枢作用。同期，跟着固态变压器阛阓的冉冉起量，压SiC器件将迎来明确的量产需求。

在芯联集成2025年度暨2026年季度功绩评释会上，公司管展望2026年公司来自碳化硅、模拟IC以及功率模块等附加值业务占比将冉冉普及；跟着公司产物结构的握续化，斥地折旧压力冉冉镌汰，有望助力公司2026年收场盈亏均衡。2025年公司交易收入81.8亿元，归母净利润同比减亏至-5.95亿元。

同期，过去两年公司产能将聚焦8寸碳化硅，模拟IC和MCU相关的12寸产线，以及功率模组封装。其中，跟着碳化硅器件价比的提，SiC MOSFET的利用从蓝本度聚拢于车的主驱逆变，扩展到车载充电、热解决、主动悬架，并向非车载利用的空调、办事器电源、储能等多个域扩展。产能面，2025年公司初步完成了前期产能开发，包括8英寸硅基、12英寸硅基产线、6/8英寸碳化硅三大产线，晶圆年坐蓐量251.27万片（折8英寸），同比增长24.68。

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